下列有關集成電路發展趨勢的描述中,不正確的是 1、下列有關集成電路發展趨勢的描述中,不正確的是 。 A、特征尺寸越來越小 B、晶圓尺寸越來越小 C、電源電壓越來越低 D、時鐘頻率越來越高 答案:B 2、 刻蝕是用化學方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程,其基本目標是: 。 A、有選擇地形成被刻蝕圖形的側壁形狀 B、在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形 C、變成刻蝕介質以形成一個凹槽 D、在大于3微米的情況下,混合發生化學作用與物理作用 答案:B |
下列有關集成電路發展趨勢的描述中,不正確的是 1、下列有關集成電路發展趨勢的描述中,不正確的是 。 A、特征尺寸越來越小 B、晶圓尺寸越來越小 C、電源電壓越來越低 D、時鐘頻率越來越高 答案:B 2、 刻蝕是用化學方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程,其基本目標是: 。 A、有選擇地形成被刻蝕圖形的側壁形狀 B、在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形 C、變成刻蝕介質以形成一個凹槽 D、在大于3微米的情況下,混合發生化學作用與物理作用 答案:B |
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